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所以領(lǐng)先
半導(dǎo)體清洗:半導(dǎo)體污染物的分類
上世紀(jì)50年代以后,隨著離子注入、擴(kuò)散、外延生長(zhǎng)和光刻四種基本工藝的發(fā)明,半導(dǎo)體工藝逐漸發(fā)展起來。芯片被顆粒和金屬污染,容易導(dǎo)致短路或開路等失效,因此除了在整個(gè)生產(chǎn)過程中避免外部污染外,在制造過程中(如高溫?cái)U(kuò)散和離子注入等)都需要濕法或干法清洗。這些清洗工作涉及使用化學(xué)溶液或氣體去除殘留在晶圓上的顆粒物、金屬離子和有機(jī)雜質(zhì),同時(shí)保持晶圓表面潔凈和良好的電性能。
污染物的分類
IC的制造過程中需要使用一些有機(jī)和無機(jī)化合物。制造過程一直在潔凈室進(jìn)行,但存在人為干預(yù),因此會(huì)導(dǎo)致晶圓的各種環(huán)境污染。污染物根據(jù)其存在形式分為四類:顆粒物、有機(jī)物、金屬污染物和氧化物。
1、顆粒物
聚合物、光刻膠和刻蝕雜質(zhì)構(gòu)成了大部分顆粒物。通常,顆粒粘附在硅表面,影響后續(xù)工藝的幾何特征和電性能的發(fā)展。雖然顆粒與表面之間的附著力是多種多樣的,但以范德華力為主,因此去除顆粒的主要方法是用物理或化學(xué)方式將顆粒底切(undercut)來逐漸去除。由于顆粒與硅表面的接觸面積減少,最終被去除。
2、有機(jī)物
人體皮膚油脂、潔凈室空氣、機(jī)械油、有機(jī)硅真空油脂、光刻膠、清洗溶劑和其它有機(jī)污染物都可以在IC工藝中找到。每種污染物以不同的方式影響工藝,但主要是通過產(chǎn)生有機(jī)層來阻止清洗溶液到達(dá)晶圓表面。因此,去除有機(jī)物通常是清洗的第一步。
3、金屬污染物
在IC制工藝中,金屬互連材料用于連接獨(dú)立器件。光刻和刻蝕用于在絕緣層上創(chuàng)建接觸窗口,然后使用蒸發(fā)、濺射或化學(xué)氣相沉積(CVD)來構(gòu)建金屬互連。為了構(gòu)建互連,首先需要刻蝕Al-Si、Cu等薄膜,然后對(duì)沉積的介電層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。該工藝有可能在構(gòu)建金屬互連時(shí)產(chǎn)生各種金屬污染。為了去除金屬污染,必須采取適當(dāng)?shù)那逑床襟E。
4、氧化物
在含氧氣和水的環(huán)境中,硅原子很容易被氧化形成氧化層,稱為天然氧化層。由于過氧化氫具有很強(qiáng)的氧化能力,用APM和HPM溶液清洗后,會(huì)在硅表面形成化學(xué)氧化層。一旦晶圓被清洗,表面氧化物必須被清除,以保證柵極氧化物的質(zhì)量。CVD在工藝中產(chǎn)生的氧化物,如氮化硅和氧化硅也應(yīng)在清洗中被選擇性去除。
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