因?yàn)閷I(yè)
所以領(lǐng)先
該路線圖以邏輯疊加技術(shù)為特色,將邏輯疊加技術(shù)安裝在基板上,將 2nm(SF2)芯片與 4nm(SF4X)芯片組合在一起,兩者都安裝在另一塊基板上。這基本上是 2.5D 封裝上的 3D-IC,也就是前面提到的 3.5D 或 5.5D 概念。Song 表示,該代工廠將從 2027 年開始在 SF2P 上堆疊 SF1.4。這種方法特別吸引人的地方在于散熱的可能性。通過將邏輯與其他功能分開,熱量可以通過基板或五個(gè)暴露面中的任何一個(gè)從堆疊的芯片中排出。
與此同時(shí),將利用其 Foveros Direct 3D 將邏輯堆疊在邏輯上,無論是面對(duì)面還是面對(duì)面。
圖 6:英特爾的 Foveros Direct 3D
其他創(chuàng)新工藝和封裝技術(shù)的到位為更廣泛的競(jìng)爭(zhēng)選擇打開了大門。與過去由大型芯片制造商、設(shè)備供應(yīng)商和 EDA 公司定義芯片路線圖不同,小芯片世界為最終客戶提供了做出這些決策的工具。這在很大程度上是由于可以放入封裝中的功能數(shù)量與可以放入 SoC 光罩限制內(nèi)的功能數(shù)量不同??梢愿鶕?jù)需要水平或垂直擴(kuò)展封裝,在某些情況下,它們可以通過垂直布局規(guī)劃來提高性能。
圖 7:路線圖和創(chuàng)新
與此同時(shí),一直在研究一種更好的方法來為密集排列的晶體管供電,隨著晶體管密度和金屬層數(shù)量的增加,這個(gè)問題一直存在。過去,電源是從芯片頂部向下輸送的,但在最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上出現(xiàn)了兩個(gè)問題。一是實(shí)際上為每個(gè)晶體管提供足夠的功率的挑戰(zhàn)。二是噪聲,它可能來自電源、基板或電磁干擾。如果沒有適當(dāng)?shù)钠帘巍捎陔娊橘|(zhì)和電線越來越薄,在每個(gè)新節(jié)點(diǎn)上屏蔽變得越來越困難——噪聲會(huì)影響信號(hào)完整性。
先進(jìn)封裝芯片清洗
合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。
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