中國2023年芯片新技術(shù)成果

1. 新一代256核區(qū)塊鏈專用加速芯片

在2023年的中關(guān)村論壇上，一款名為新一代256核高性能區(qū)塊鏈專用加速芯片的產(chǎn)品引起了廣泛關(guān)注。這款芯片的特點在于其強大的處理性能，能夠每秒處理超過100萬筆區(qū)塊鏈智能合約交易，并提供高效的隱私計算能力，實現(xiàn)“數(shù)據(jù)可用不可見”。它集成了256核多線程并發(fā)運行，調(diào)度能力強，且在全球范圍內(nèi)處于領(lǐng)先地位。

2. 第二代“香山”(南湖架構(gòu))開源高性能RISC-V處理器核

北京開源芯片研究院牽頭，與企業(yè)共同定義產(chǎn)品規(guī)劃、聯(lián)合組建研發(fā)團隊并合作研制的開源高性能RISC-V處理器核被稱為第二代“香山”。該處理器核性能超過ARMCortex-A76，計劃于2023年6月流片。

3. DPU芯片K2

中科馭數(shù)自主研發(fā)的DPU芯片K2采用了28nm成熟工藝制程，可支持網(wǎng)絡(luò)、存儲、虛擬化等功能卸載，具有成本低、性能優(yōu)、功耗小等優(yōu)勢。它可以在大數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)計算密集型場景中應(yīng)用，如金融計算、數(shù)據(jù)中心、5G邊緣計算、云計算等場景。DPU芯片K2被評選為論壇十大最具影響力新技術(shù)新產(chǎn)品。

4. 國科微獲“最有影響力IC設(shè)計企業(yè)”

國科微作為國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計企業(yè)，在第五屆硬核芯生態(tài)大會暨2023汽車芯片技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用論壇上，榮獲“2023年度最有影響力IC設(shè)計企業(yè)”獎項。

5. 華為中國芯片技術(shù)最新突破

華為海思的芯片技術(shù)有了重大突破，國產(chǎn)14nm芯片預計將在明年年底量產(chǎn)。此外，28nm和14nm的芯片預計將在今明兩年開始量產(chǎn)。

6. 中國科學院芯片領(lǐng)域取得突破性進展

中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員歐欣團隊在鉭酸鋰異質(zhì)集成晶圓及高性能光子芯片制備領(lǐng)域取得突破性進展，成功開發(fā)出可批量制造的新型“光學硅”芯片。這種芯片在雙折射、透明窗口范圍、抗光折變、頻率梳產(chǎn)生等方面相比鈮酸鋰更具優(yōu)勢，有望在激光雷達、精密測量等方面實現(xiàn)應(yīng)用。

 芯片封裝清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。

以上就是中國在2023年在芯片新技術(shù)領(lǐng)域的主要成果。這些成果涵蓋了從高性能區(qū)塊鏈芯片到先進的光子芯片的廣泛領(lǐng)域，顯示了中國在芯片技術(shù)方面的顯著進步和創(chuàng)新能力。