2021年開(kāi)始，汽車行業(yè)面臨整體缺芯，在這一特殊時(shí)期，國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)芯片加速上車，完成對(duì)國(guó)外產(chǎn)品的替代，取得了可喜的進(jìn)步。但由于車規(guī)級(jí)芯片生產(chǎn)難度大、產(chǎn)品化周期長(zhǎng)、需求增長(zhǎng)快、供需不平衡、上游企業(yè)產(chǎn)能不足、疫情影響、車企囤貨情況嚴(yán)重等原因，我國(guó)車規(guī)級(jí)芯片仍舊“內(nèi)憂”重重。

同時(shí)我國(guó)車規(guī)級(jí)芯片自主率水平仍然很低，尤其是高端化進(jìn)程遠(yuǎn)不及海外大廠，我國(guó)的核心技術(shù)研發(fā)與資源全面落后于發(fā)達(dá)國(guó)家，正遭遇被諸多“外患”包圍的困境。

如此內(nèi)憂外患的緊迫局面，中國(guó)車規(guī)級(jí)芯片急需找到屬于自己的創(chuàng)新之路。

一、芯片技術(shù)創(chuàng)新

在芯片技術(shù)創(chuàng)新方面，國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)芯片聚焦材料創(chuàng)新、設(shè)計(jì)創(chuàng)新以及制造工藝創(chuàng)新三個(gè)維度。

1.材料創(chuàng)新

耐高壓、耐高頻、耐高溫的SiC和傳輸快、集成度高的硅光信號(hào)芯片成為材料創(chuàng)新的兩大重要陣地。

中國(guó)SiC發(fā)展起步雖有落后，但當(dāng)前已有明顯成果。如國(guó)內(nèi)已有廠商通過(guò)不斷迭代IGBT技術(shù)的同時(shí)還大力布局SiC功率器件，率先實(shí)現(xiàn)SiC功率模塊量產(chǎn)落地，在邁入以SiC-MOSFET替代Si-IGBT階段之后，進(jìn)一步專為SiC定制功率模塊以發(fā)揮SiC材料的顯著優(yōu)勢(shì)

硅光芯片是光子技術(shù)與微電子技術(shù)融合的結(jié)晶，既擁有光的高帶寬、高速率、高抗干擾性，又具備微電子高集成、低能耗、低成本等優(yōu)勢(shì)。目前中國(guó)已有數(shù)家企業(yè)基于硅光芯片研發(fā)FMCW激光雷達(dá)方案。

2.設(shè)計(jì)創(chuàng)新

車規(guī)級(jí)芯片設(shè)計(jì)以性能與安全為核心目標(biāo)和驅(qū)動(dòng)力。

在提升芯片計(jì)算性能方面，芯片廠商大多采用多核集成的方式，通過(guò)多個(gè)集成高主頻內(nèi)核來(lái)提升芯片整體計(jì)算效率。100MHz已不足為奇，更有芯片其主頻已高達(dá)800MHz，高主頻高性能芯片成為設(shè)計(jì)主流。

也有一些行業(yè)先行者開(kāi)辟嶄新的技術(shù)路線，進(jìn)軍“存算一體”架構(gòu)。存算一體架構(gòu)芯片較傳統(tǒng)架構(gòu)芯片具備低功耗、低延時(shí)、高算力三大優(yōu)勢(shì)，可以完美貼合智能駕駛場(chǎng)景需求。

存算一體、GPU、CPU架構(gòu)對(duì)比，圖片來(lái)源：億歐智庫(kù)

在信息安全方面，主機(jī)廠普遍采用“安全芯片（SE）+硬件安全模塊（HSM）”方案構(gòu)建信息安全防護(hù)體系，目前國(guó)內(nèi)已有多家企業(yè)憑借多年安全芯片技術(shù)布局車規(guī)級(jí)芯片；功能安全方面，多核MCU通過(guò)雙核鎖步設(shè)計(jì)提升功能安全水平，安全等級(jí)更低的SoC則通過(guò)外掛或內(nèi)置高安全MCU形成安全島來(lái)提升整體功能安全水平。

3.工藝創(chuàng)新

不同計(jì)算控制芯片對(duì)制程工藝的需求所有不同，但為降本增效，國(guó)內(nèi)芯片不斷追求先進(jìn)制程，探索摩爾定律極限。

相較于對(duì)先進(jìn)制程（28nm以下）的持續(xù)追求，MCU在制程工藝方面的需求相對(duì)較低。中國(guó)車規(guī)級(jí)MCU大多采用40nm成熟制程，僅有少數(shù)企業(yè)如芯馳科技采用更先進(jìn)的制程技術(shù)。相比之下，海外芯片廠商早已邁入了先進(jìn)制程的領(lǐng)域。盡管在這一方面中國(guó)與海外存在較大的差距，但考慮到MCU對(duì)制程的較低需求，我們?nèi)杂幸欢ǖ木彌_空間。

隨汽車智能化發(fā)展，智能汽車對(duì)AI芯片的算力與性能需求不斷增強(qiáng)，促使智能座艙、自動(dòng)駕駛等場(chǎng)景所需要的SoC持續(xù)追求先進(jìn)制程，以實(shí)現(xiàn)計(jì)算性能和成本的突破。在SoC芯片方面，中國(guó)與海外芯片同樣存在一定的差距。不過(guò)，值得驕傲的是，本土SoC芯片已經(jīng)發(fā)展至7nm，地平線、黑芝麻智能、芯擎科技等公司都發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品。然而，海外芯片廠商如英偉達(dá)Altan則已經(jīng)率先進(jìn)入了更為先進(jìn)的5nm制程階段。

SoC角逐先進(jìn)制程，數(shù)據(jù)來(lái)源：億歐智庫(kù)

這表明我們?cè)诩夹g(shù)追趕的道路上仍需努力，但同時(shí)也展現(xiàn)了中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展態(tài)勢(shì)。

二、產(chǎn)品及應(yīng)用場(chǎng)景創(chuàng)新

在終端產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)下，車規(guī)級(jí)芯片從跨域融合到Zonal架構(gòu)，隨EEA集中式演進(jìn)呈三層分布。如國(guó)內(nèi)目前已有部分企業(yè)開(kāi)啟大膽嘗試，將Zonal架構(gòu)作為芯片產(chǎn)品定義的向?qū)Ш涂蚣埽愿兄?、?jì)算、通信為基點(diǎn)，全方位布局汽車智能化芯片。

歐冶半導(dǎo)體分析認(rèn)為未來(lái)5-10年里，汽車電子電氣架構(gòu)都會(huì)以Zonal架構(gòu)為導(dǎo)向設(shè)計(jì)，所有汽車芯片都會(huì)落在Zonal架構(gòu) 下的智能端側(cè)芯片、區(qū)域處理器和中央計(jì)算平臺(tái)這三個(gè)區(qū)間里。中央計(jì)算芯片首先會(huì)走向行泊一體，再走向艙駕一體，最終形態(tài)是全業(yè)務(wù)、全場(chǎng)景的處理器。

此外，“軟件定義汽車”也正加速落地，國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)逐漸形成“芯片+算法+工具鏈”產(chǎn)品方案，用軟件算法與芯片之間的高度適配而進(jìn)一步提升芯片計(jì)算效率。同時(shí)與上層軟件適配需求推動(dòng)部分芯片企業(yè)更進(jìn)一步，開(kāi)始向操作系統(tǒng)、中間件等基礎(chǔ)軟件層布局，進(jìn)一步拓寬軟硬協(xié)同邊界。

億歐智庫(kù)研究分析稱，中央計(jì)算芯片將成為芯片廠核心研發(fā)任務(wù)，芯片廠將與軟件算法商深度合作，致力于推出基于大算力中央計(jì)算芯片且高度軟硬協(xié)同的中央計(jì)算方案，為未來(lái)的One Brain車云計(jì)算架構(gòu)做好技術(shù)儲(chǔ)備。

受國(guó)際局勢(shì)及政策指引，車規(guī)級(jí)芯片領(lǐng)域的低端場(chǎng)景國(guó)產(chǎn)替代成為大勢(shì)，同時(shí)隨技術(shù)進(jìn)步與成熟，中國(guó)芯片正逐漸向座艙域控、智駕域控場(chǎng)景應(yīng)用發(fā)展。同時(shí)企業(yè)紛紛抬頭看向安全需求更高的汽車電子應(yīng)用場(chǎng)景，舉力研發(fā)面向BMS、動(dòng)力、安全領(lǐng)域的高端芯片。

三、車規(guī)級(jí)芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。