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先進(jìn)封裝的失效分析的極大難點(diǎn)解析與先進(jìn)封裝清洗介紹

先進(jìn)封裝技術(shù)給半導(dǎo)體行業(yè)帶來了變革,市場對更小、更快、更低能耗、更大算力的電子設(shè)備的需求驅(qū)動(dòng)了近年來先進(jìn)封裝的快速發(fā)展,它追求結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步微型化、更高集成度、更多功能性,以及更好的散熱控制。

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▲當(dāng)前先進(jìn)封裝的失效分析存在諸多挑戰(zhàn)

難點(diǎn)一:結(jié)構(gòu)、尺寸和材料的創(chuàng)新

復(fù)雜的封裝結(jié)構(gòu)如flip chip,3D封裝和系統(tǒng)級封裝,使找到或識(shí)別失效的根本原因非常困難。微縮化和高密度的互聯(lián)結(jié)構(gòu)給精確識(shí)別和分析缺陷帶來挑戰(zhàn)。另外,多層堆疊的互聯(lián)和多樣的封裝材料進(jìn)一步提高了失效分析的難度。

3D X射線檢測的高分辨三維成像和無損的特點(diǎn)使它逐漸成為先進(jìn)封裝失效分析的必要手段。

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▲晶圓級扇出(WLFO)封裝中C4 bump的裂紋和元素分析

難點(diǎn)二:深埋結(jié)構(gòu)的觸達(dá)

此外,難以觸及到先進(jìn)封裝內(nèi)部的結(jié)構(gòu)和互聯(lián)使電性探針測試和物性檢測更具挑戰(zhàn)性,如3D封裝或倒裝芯片。

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▲使用飛秒激光和離子束制備的不同先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)的截面及制樣用時(shí)

難點(diǎn)三:兼顧效率和成本

在不同設(shè)備間切換樣品時(shí)常需費(fèi)時(shí)重新定位感興趣區(qū)域,關(guān)聯(lián)顯微技術(shù)有效地解決這一難題,不僅可以在光鏡和電鏡之間實(shí)現(xiàn)關(guān)聯(lián),也可以在3D X射線顯微鏡和電鏡之間完成關(guān)聯(lián)。

先進(jìn)芯片封裝清洗:

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


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