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晶圓級芯片封裝方式特性與優(yōu)點與晶圓芯片封裝清洗介紹

合明科技 ?? 2393 Tags:?晶圓芯片封裝清洗芯片封裝清洗Fan-Out

WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)即晶圓級芯片封裝方式,不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測,而封裝后至少增加原芯片20%的體積),此種最新技術(shù)是先在整片晶圓上進行封裝和測試,然后才切割成一個個的IC顆粒,因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP的封裝方式,不僅明顯地縮小內(nèi)存模塊尺寸,而符合行動裝置對于機體空間的高密度需求;另一方面在效能的表現(xiàn)上,更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。

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WLCSP的特性優(yōu)點

-原芯片尺寸最小封裝方式:
WLCSP晶圓級芯片封裝方式的最大特點便是有效地縮減封裝體積,故可搭配于行動裝置上而符合可攜式產(chǎn)品輕薄短小的特性需求。



-數(shù)據(jù)傳輸路徑短、穩(wěn)定性高:

采用WLCSP封裝時,由于電路布線的線路短且厚(標(biāo)示A至B的黃線),故可有效增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)念l寛減少電流耗損,也提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
散熱特性佳

由于WLCSP少了傳統(tǒng)密封的塑料或陶瓷包裝,故IC芯片運算時的熱能便能有效地發(fā)散,而不致增加主機體的溫度,而此特點對于行動裝置的散熱問題助益極大。


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WLCSP可以被分成兩種結(jié)構(gòu)類型:直接BOP(bump On pad)和重新布線(RDL)。

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BOP即錫球直接長在die的Al pad上,而有的時候,如果出現(xiàn)引出錫球的pad靠的較近,不方便出球,則用重新布線(RDL)將solder ball引到旁邊。

最早的WLCSP是Fan-In,bump全部長在die上,而die和pad的連接主要就是靠RDL的metal line,封裝后的IC幾乎和die面積接近。Fan-out,bump可以長到die外面,封裝后IC也較die面積大(1.2倍)。

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Fan-in:  如下流程為Fan-in的RDL制作過程。

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Fan-Out: 先將die從晶圓上切割下來,倒置粘在載板上(Carrier)。此時載板和die粘合起來形成了一個新的wafer,叫做重組晶圓(Reconstituted Wafer)。在重組晶圓中,再曝光長RDL。


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Fan-in和Fan-out 對比如下,從流程上看,F(xiàn)an-out除了重組晶圓外,其他步驟與Fan-in RDL基本一致。


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晶圓芯片封裝清洗介紹

芯片封裝清洗:

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù),滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。



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