芯片封裝的材料要求

在封裝材料方面，需要創(chuàng)新與可持續(xù)化開發(fā)芯片封裝膠、底部填充膠、圍堰與填充膠、芯片包封膠、導電膠和晶圓級封裝膠等，以滿足市場對封裝的日益嚴苛的性能和可靠性要求。

1、芯片封裝膠水（Die Attach）

其中貼片膠的關鍵問題歸納如下：

（1）根據(jù)芯片封裝工藝需求，超高速點膠機以及鋼網(wǎng)/銅網(wǎng)印膠制程需要貼片膠具有高剪切稀釋性。

（2）根據(jù)芯片封裝需求，有效預防芯片在PCB板上的溢膠現(xiàn)象需要貼片膠具有低表面張力、高搖變性和化學均質(zhì)性等。

（3）伴隨芯片封裝工藝不斷集成化、多功能化、大功率化發(fā)展，尤其是成像類芯片在尺寸上越來越大、越來越薄，導致其工作中發(fā)熱量急劇增加，此時，具有導熱性能的貼片膠便是業(yè)內(nèi)的期盼。

2、倒裝芯片底部填充膠水（Flip Chip Underfills）

其中底部填充膠的關鍵問題歸納如下：

（1）當膠水的熱膨脹系數(shù)即CTE與芯片和PCB不一致時，在溫度荷載的影響下，往往會產(chǎn)生很大的內(nèi)應力而導致BGA失效。因此，低CTE一直是對underfill膠水最直接、最迫切的期盼。

（2）對于先進封裝中的BGA封裝用underfill膠，往往需要滿足一級封裝，即無填料，CTE要求非常低，固化收縮率也要求非常低。

（3）工藝上要求易于施膠，固化效率要求高，同時易于返修。

3、圍堰與填充膠水（Dam and Fill Encapsulant）

其中圍堰與填充膠水的關鍵問題歸納如下：

（1）根據(jù)芯片封裝要求，圍堰與填充膠需要優(yōu)異的耐焊性、耐濕性和溫度循環(huán)性。

（2）根據(jù)芯片封裝要求，圍堰與填充膠需要低膨脹系數(shù)，低收縮、低吸潮性和抗彎曲。

4、芯片包封膠水（Encapsulant）

（1）采用Frame & Fill的工藝，要求兩種膠水之間的化學兼容性良好。

（2）芯片包封膠水高度不能高于50um，點膠后溢膠部分不能超過0.5mm，甚至是0.2mm。

（3）包封膠要有很好的電絕緣性能，比如介電常數(shù)，保證在長期的嚴苛環(huán)境下不會發(fā)生電腐蝕等重大隱患。

5、導電膠水

導電膠技術(shù)是代替焊錫連接技術(shù)的一種無鉛技術(shù)。其中導電膠的關鍵問題歸納如下：

（1）超長工作時間：72H粘度增長率＜25%，客戶端測試連續(xù)作業(yè)24H無拖絲、拉尾異常。

（2）優(yōu)異的施膠性能：可滿足170μm以上膠點施膠作業(yè)性和粘接力要求。

（3）優(yōu)異的界面結(jié)合力：常溫、高溫下，各尺寸膠點剪切力測試后，膠體與界面均有飽滿的殘留。

晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。

7、芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。