功率器件按照發(fā)展方向可以分為小功率器件和大功率器件。小功率器件的發(fā)展方向以追求高集成度、高工作頻率和單位器件的小功率為目的的微電子技術(shù)，它是以集成電路為核心的；而大功率器件的發(fā)展方向以追求高的工作電流密度、短的開關(guān)時(shí)間和大的功率為目的的功率電子學(xué)。

2 按照發(fā)展過程

功率器件按照其發(fā)展過程又可分為三類半導(dǎo)體器件，第一類器件是以晶閘管為代表的功率器件，該類器件一旦開啟過后就沒法停止了，因此壽命很短。第二類器件是一種可控型器件，如電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該類器件可控制器件的開啟關(guān)斷；第三類器件主要以絕緣柵雙極晶體管為代表，它將電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管高耐壓，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)與雙極結(jié)型晶體管導(dǎo)通電壓小的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合于一體，因此，在高壓高功率電路中得到了廣泛應(yīng)用。

3 按照半導(dǎo)體材料

功率器件按照半導(dǎo)體材料可分為第一代半導(dǎo)體、第二代半導(dǎo)體與第三代半導(dǎo)體。第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導(dǎo)體材料。而第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導(dǎo)體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導(dǎo)體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導(dǎo)體（又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體），如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體；有機(jī)半導(dǎo)體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

4 按照電流流通路徑

功率器件按照電流流通路徑可以分為橫向功率器件與縱向功率器件。橫向功率器件指器件的漏電極和源電極都在器件上方，電流從漏極流向源極的路徑為橫向。而縱向功率器件指器件的源電極在器件的上方，而漏電流在器件的下方，電流從漏極流向源極的路徑為縱向。如圖為橫向功率器件的代表結(jié)構(gòu)LDMOS（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）與縱向功率器件的代表結(jié)構(gòu)VDMOS（Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）元胞結(jié)構(gòu)示意圖。

功率LDMOS與VDMOS相對(duì)于普通MOS多了一個(gè)漂移區(qū)N-Drift，同時(shí)MOS的P-sub相當(dāng)于LDMOS與VDMOS器件的P-body區(qū)域， P-body通過P+區(qū)域與源電極相連，因此LDMOS與VDMOS的電流路徑相對(duì)于普通MOS多了一個(gè)漂移區(qū)。漂移區(qū)的存在增大了器件的電阻，但在電流流通時(shí)，漂移區(qū)兩端就可承受電壓，因此LDMOS與VDMOS有較高的擊穿電壓。