晶圓清洗工藝之SC清洗

晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或襯底的情況下去除化學和顆粒雜質（下圖）。晶圓清洗是為了預擴散清洗，即使其表面不受金屬、顆粒和有機物的污染。金屬離子清洗，即去除對半導體器件運行有不利影響的金屬離子；顆粒清洗指的是使用化學或機械擦洗去除表面的顆粒，使用兆速清洗和蝕刻后清洗去除蝕刻過程后留下的光阻和聚合物。

接下來小編針對硅晶圓清洗的不同程序，對SC清洗給大家做個簡單介紹，希望能對您有所幫助！

晶圓 SC清洗

SC清洗包括兩個步驟，即SC-1和SC-2。SC-1取氫氧化銨（28%）、過氧化氫（30%）和水，比例為1:1:5，溫度為80～90℃。硅晶圓在此溶液中浸泡10分鐘，并保持高pH值。該方法氧化有機物（形成二氧化碳、水等），并與金屬（比如Au、Ag、Cu、Ni、Zn、Cr等）形成絡合物，如Cu(NH3)42+。在此過程中，天然的氧化層緩慢溶解并重新長出新的氧化層，從而去除氧化層上的顆粒。NH4OH的用量較少，因為它能蝕刻Si，使其表面粗糙。

SC-2取鹽酸（73%）、過氧化氫（73%）和水，比例為1:1:6，溫度為80～90℃。硅晶圓在此溶液中浸泡10分鐘，并保持低pH值。該方法用于去除堿離子和Al3+、Fe3+、Mg2+等在SC-1等堿性溶液中形成的不溶性氫氧化物的陽離子。這些金屬會在SC-1溶液中沉淀到晶圓表面，而在SC2溶液中則形成可溶性配合物。SC-2還能完全去除SC-1步驟無法完全去除的金屬污染物，如Au。

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