半導(dǎo)體制造中金屬污染的測(cè)量技術(shù)

半導(dǎo)體制造中金屬污染的測(cè)量技術(shù)分為兩類(lèi)：

1、在線測(cè)量技術(shù)：在晶圓上直接測(cè)量，無(wú)需任何樣品制備；

2、離線測(cè)量技術(shù)：測(cè)量前需樣品制備，前處理涉及在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中進(jìn)行。

表1. 金屬污染在線測(cè)量技術(shù)的關(guān)鍵參數(shù)

EDX : Energy Dispersive X-ray Spectroscopy（能量色散X射線光譜）

SPV :  Surface Photo Voltage（表面光電壓）

TRXF : Total Reflection X-ray Fluorescence （全反射X射線熒光光譜）

表2. 金屬污染離線測(cè)量技術(shù)的關(guān)鍵參數(shù)（I）

IC : Ion Chromatography （離子色譜）

AAS: Atomic Absorption Spectroscopy （原子吸收光譜）

ICP-MS : Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy （電感耦合等離子體質(zhì)譜）

VPD-TXRF : Vapour Phase Decomposition TXRF （氣相分解-全反射X射線熒光光譜）

VPD-ICP-MS : Vapour Phase Decomposition ICP-MS （氣相分解-電感耦合等離子體質(zhì)譜）

表3. 金屬污染離線測(cè)量技術(shù)的關(guān)鍵參數(shù)（II）

SIMS : Secondary Ion Mass Spectroscopy（二次離子質(zhì)譜）

XPS : X-ray Photoelectron Spectroscopy（X射線光電子能譜）

Auger : Auger electron spectroscopy（俄歇電子能譜）

除在線和離線監(jiān)測(cè)劃分之外，按照測(cè)量原理，可將測(cè)量金屬污染的技術(shù)分為以下兩個(gè)分支：一是直接測(cè)量晶圓表面的金屬污染物化學(xué)濃度的技術(shù)，二是間接測(cè)量體硅中金屬污染引起的電活動(dòng)的壽命檢測(cè)技術(shù)。當(dāng)預(yù)計(jì)金屬污染物會(huì)沉積在晶圓表面時(shí)，首選前一種方法，而后一種方法則適用于涉及到體硅中的金屬污染擴(kuò)散的熱處理工藝。

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