扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)采取在芯片尺寸以外的區(qū)域做I/O接點(diǎn)的布線設(shè)計(jì)，提高I/O接點(diǎn)數(shù)量。采用RDL工藝讓芯片可以使用的布線區(qū)域增加，充分利用到芯片的有效面積，達(dá)到降低成本的目的。扇出型封裝技術(shù)完成芯片錫球連接后，不需要使用封裝載板便可直接焊接在印刷線路板上，這樣可以縮短信號(hào)傳輸距離，提高電學(xué)性能。

扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于能夠利用高密度布線制造工藝，形成功率損耗更低、功能性更強(qiáng)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，讓系統(tǒng)級(jí)封裝（System in a Package, SiP）和3D芯片封裝更愿意采用扇出型晶圓級(jí)封裝工藝。

傳統(tǒng)的封裝技術(shù)如倒裝封裝、引線鍵合等，其信號(hào)互連線的形式包括引線、通孔、錫球等復(fù)雜的互連結(jié)構(gòu)。這些復(fù)雜的互連結(jié)構(gòu)會(huì)影響芯片信號(hào)傳輸?shù)男阅?。在扇出型封裝中（見圖2），根據(jù)重布線的工序順序，主要分為先芯片（Chip first）和后芯片（Chip last）兩種工藝，根據(jù)芯片的放置方式，主要分為面朝上（Face up）和面朝下（Face down）兩種工藝，綜合上述四種工藝，封裝廠根據(jù)操作的便利性，綜合出以下三種組合工藝，分別是面朝上的先芯片處理（Chip first-face up）、面朝下的先芯片處理（Chip first-face down）和面朝下的后芯片處理（Chip last-face down）。接下來分別對(duì)這三種工藝進(jìn)行闡述。

1、面朝上的先芯片處理。

面朝上是讓芯片的線路面朝上，采用RDL工藝的方式構(gòu)建凸塊，讓I/O接觸點(diǎn)連接，最后切割單元芯片。（見圖3）

圖3 面朝上的先芯片處理工藝示意圖

面朝上的先芯片處理工藝流程如下：

步驟一

先將芯片切割分離，再將合格的芯片排列放置在帶有臨時(shí)鍵合膠的臨時(shí)載板上。

步驟六

將合格的芯片切割分離。

步驟

將芯片用塑封材

料塑封。

步驟五

將臨時(shí)鍵合膠和臨時(shí)載體通過紫外光分離，封裝完成。

步驟三

利用化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechani-cal Polishing,CMP)將塑封層減薄，此工藝成本較高。

步驟四

在芯片表面做

RDL 與植錫球。

2、面朝下的先芯片處理。

面朝下是讓芯片的線路面朝下的工藝。面朝下與面朝上的區(qū)別主要在于芯片帶有焊盤一側(cè)的放置方向不同。（見圖4）

圖4 面朝下的先芯片處理工藝示意圖

面朝下的先芯片處理工藝流程如下：

3、面朝下的后芯片處理。

后芯片是先在臨時(shí)膠帶表面進(jìn)行RDL工藝，然后通過面朝下的方式將芯片與RDL互連，在注塑機(jī)中進(jìn)行塑封、植錫球后完成切割。其與先芯片的主要區(qū)別在于RDL的先后順序。

圖5 面朝下的后芯片處理工藝示意圖

面朝下的后芯片處理工藝流程如下：

綜上所述，面朝上的先芯片處理工藝由于需要利用CMP將塑封層減薄，所以此工藝成本較高，一般封裝廠較少采用。面朝下的先芯片處理工藝在移除載板并添加RDL制程時(shí)易造成翹曲，所以工藝操作時(shí)需要提前防范，但是此工藝封裝廠應(yīng)用較多，例如蘋果的A10處理器。面朝下的后芯片處理工藝先采用RDL工藝，這樣可以降低芯片封裝制程產(chǎn)生的不合格率，目前封裝廠應(yīng)用也較多。

在FOWLP工藝中，重布線層作為工藝中必不可少的一個(gè)環(huán)節(jié)，它是在晶圓表面沉積金屬層和絕緣層形成相應(yīng)的金屬布線圖案，采用高分子薄膜材料和Al/Cu金屬化布線對(duì)芯片的I/O焊盤重新布局成面陣分布形式，將其延伸到更為寬松的區(qū)域來植錫球。

扇出型晶圓級(jí)封裝芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。