今天我要和大家分享的是關于IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）芯片的革命性崛起。這項創(chuàng)新的科技巨擘在現(xiàn)代電力電子領域掀起了一場震撼世界的變革。想象一下，在過去的幾十年中，我們生活的每個角落都離不開能源的驅動。然而，傳統(tǒng)的功率晶體管卻受限于一些方面不足。幸運的是，IGBT芯片的出現(xiàn)徹底改變了這一局面。當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。

IGBT和MOS管都是一種用于電力控制的半導體器件。它們的作用是在電路中調(diào)整或控制電流的流動。

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種具有低壓控制和高電流能力的開關設備。它結合了場效應晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有低開通電阻和高開通速度，能夠承受較高的電流和電壓。IGBT主要用于交流電力電子設備中，如變頻器、電機驅動器、逆變器等。

MOS管（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種基于MOS結構的晶體管。它具有高輸入電阻、低功耗和快速開關速度等特點，可以用作開關、放大器、放大器驅動器等。MOS管可以分為兩類：增強型MOSFET（nMOS）和耗盡型MOSFET（pMOS）。增強型MOSFET需要一個正電壓作為控制信號以切換其導通狀態(tài)，而耗盡型MOSFET需要一個負電壓作為控制信號。

總的來說，IGBT主要用于高功率電力應用，而MOS管則適用于低功率應用。IGBT具有較高的電流和電壓能力，可以承受較大的負載，但開關速度相對較慢。相比之下，MOS管具有較低的功耗和更快的開關速度，但電流和電壓能力相對較弱。在電路設計中，對于不同的應用需求和電路規(guī)模，可以選擇使用不同類型的器件。