GJB548《微電子器件試驗方法和程序》標(biāo)準(zhǔn)解析

GJB548《微電子器件試驗方案和程序》規(guī)定了軍用微電子器件的氣候環(huán)境試驗、機械環(huán)境試驗、電學(xué)試驗和檢驗程序，以及為保證微電子器件滿足預(yù)定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制措施和限制條件。標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用微電子器件。

接下來小編就給大家分享一篇關(guān)于GJB548《微電子器件試驗方法和程序》內(nèi)容的更新變化過程，希望能對您有所幫助！

一、起草單位的變化       

GJB548B-2005的起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部電子第四研究所、西安電子科技大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第 24研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第43 研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第55 研究所。

GJB548C-2021的起草單位：工業(yè)和信息化部電子第四研究院、北京航空航天大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所、中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七二研究所、濟(jì)南市半導(dǎo)體元件實驗所。

二、試驗方法數(shù)量的變化

GJB548A-1996包含71個試驗方法

GJB548B-2005包含74個試驗方法

GJB548C-2021包含78個試驗方法

三、標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的變化

GJB548B-2005與GJB548A-1996相比主要變化如下：

（1）對4.5試驗條件中根據(jù)我國實際操作情況進(jìn)行了改寫；

（2）對試驗方法及圖、表的編號不再加A、B.....等版本號形式，而是對修改過的試驗方法加“.1，.2”6等形式；

（3）增加了試驗方法1034《染色滲透試驗》、試驗方法2029《陶瓷片式載體焊接強度(破壞性推力試驗)》和試驗方法2035《載帶自動焊焊接質(zhì)量的超聲檢測》；

（4）在方法5004和方法5005中刪除了B1級的有關(guān)內(nèi)容；

（5）刪除了附錄A、附錄B、附錄C、附錄D。

GJB548C-2021與GJB548B-2005相比主要變化如下:

1.、正文

（1）更新并增加了引用文件；

（2）增加了失效模式、失效機理、標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)等術(shù)語定義；

（3）增加了電測試應(yīng)在最壞電源電壓條件下進(jìn)行的要求；

（4）細(xì)化了電測試溫度控制要求(尤其對于混合電路)。

2.、方法 1012.1 熱性能

（1）基于當(dāng)前紅外熱像設(shè)備大多已具備輻射率修正能力，將涂漆要求改為可選操作；

（2）增加了涂層材料對峰值結(jié)溫的影響說明。

3.、方法1014.3 密封

（1）增加了A5試驗條件；

（2）提高了宇航級混合集成電路器件漏率失效判據(jù)；

（3）細(xì)化了氨質(zhì)譜檢漏法固定方法的內(nèi)腔容積分段；

（4）增加了累積氦質(zhì)譜檢漏法；

（5）細(xì)化了光學(xué)檢漏法有關(guān)要求。

4、方法1017.1 中子輻射

（1）增加了部分術(shù)語定義；

（2）細(xì)化了輻射源要求，增加了電離總劑量限制指標(biāo)。

5、方法1018.2 內(nèi)部氣體成分分析

（1）刪除了程序2和程序33；

（2）細(xì)化了質(zhì)譜儀的校準(zhǔn)要求；

（3）增加了真空箱和傳遞通道的描述；

（4）增加了實驗室應(yīng)提供對未知或已存在但未達(dá)到識別濃度的氣體質(zhì)譜描述說明的規(guī)定；

  （5）增加了實驗室無權(quán)判定器件合格或不合格的規(guī)定。

6、方法 1019.3 電離輻射(總劑量)

（1）增加了部分術(shù)語定義；

（2）增加了低溫輻射試驗規(guī)定；

（3）增加了使用干冰保存樣品的規(guī)定；

（4）增加了低劑量率增強效應(yīng)(ELDRS)的判定試驗表征試驗。

7、方法 1020.2 劑量率感應(yīng)鎖定

 劑量測量系統(tǒng)中增加了閃爍探測器和康普頓二極管。

8、方法 1034.1 染料滲透

（1）增加了試驗設(shè)備，并細(xì)化了規(guī)格參數(shù)；

（2）修改了浸滲劑粘度；

（3）增加了正常明視場條件下的剖面拍照要求。

9、方法2003.2 可焊性

（1）增加了部分術(shù)語定義；

（2）增加了材料和設(shè)備；

（3）對蒸汽老化作了分類編寫；

（4）對試驗條件作了分類編寫；

（5）增加了附錄A和附錄B；

（6）除了可焊性評價準(zhǔn)則表。

10、方法2004.3 引線牢固性

（1）增加了部分術(shù)語定義；

（2）增加了試驗條件A1引線釬焊牢固性和試驗條件E引線鍍層牢固性；

（3）修改了剛性引線試驗程序；

（4）彎曲應(yīng)力試驗和引線疲勞試驗增加了翼型引線和J形引線試驗程序。

11、方法2005.1 振動疲勞

增加了峰值加速度與振幅和頻率的計算關(guān)系。

12、方法2009.2 外部目檢

（1）增加了焊球/焊柱陣列引出端缺陷判據(jù)；

（2）增加了玻璃填充底座封裝的玻璃密封處開口泡的缺陷判據(jù)。

13、方法2010.2 內(nèi)部目檢(單片電路)

（1）增加了受控環(huán)境(潔凈室)要求:

（2）修改了 S 級金屬化層跨接的擠出金屬缺陷判據(jù)。

14、方法2011.2 鍵合強度

（1）增加了引線鍵合點剪切試驗;

（2）增加了拉力鉤放置位置示意圖。

15、方法2012.2 X射線檢查

（1）增加了實時成像X 射線檢查的設(shè)備和程序要求

（2）增加了有缺陷密封判據(jù)的示意圖。

16、方法2015.2 耐溶劑性

修改了刷樣品時的手壓力。

17、方法2017.2 內(nèi)部目檢(混合電路)

（1）刪除了一般要求；

（2）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；

（3）鍵合檢查通用要求增加了 H級和K級的擠出金屬缺陷判據(jù)。

18、方法2018.2 掃描電子顯微鏡(SEM)檢查

（1）增加了對于化學(xué)機械拋光（CMP）等平坦化工藝不需要SEM檢查的要求；

（2）增加了采用芯片或已封裝器件的抽樣方案；

（3）增加了阻擋層/附著層不需要查的情況；

（4）修改了鈍化層臺階放大倍數(shù)范圍。

19、方法2019.3 芯片切強度

（1）增加了部分術(shù)語定義；

（2）修改了失效判據(jù)和分離模式。

20、方法 2020.2 粒子碰撞噪聲檢測

（1）降低了預(yù)置值峰值；

（2）增加了設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲采集與分析可選功能；

（3）增加了不允許試驗大型器件的規(guī)定；

（4）增加了器件放置位置范圍要求；

（5）增加了試驗頻的計算公式；

（6）修改了腔高和頻率典型對應(yīng)值。

21、方法 2023.3 非破壞性鍵合拉力

增加了拉力鉤放置位置示意圖。

22、方法2030.1 芯片粘接的超聲檢測

 增加了圖例及反射/透射模式對照圖。

23、方法2032.1 無源元件的目檢

（1）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；

（2）細(xì)化了判據(jù)格式說明；

（3）修改了薄膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；

（4）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；

（5）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化空洞判據(jù)；

（6）修改了平面厚膜元件檢查中的厚膜電阻缺陷判據(jù)；

（7）修改了聲表面波元件檢查中的基板材料缺陷判據(jù)；

（8）修改了聲表面波元件檢查中的多余物缺陷判據(jù)；

（9）修正了部分?jǐn)?shù)據(jù)換算錯誤。

24、方法2036 耐焊接熱

 新增試驗方法。

25、方法2037鉛錫焊料成分分析-X射線光檢測

新增試驗方法。

26、方法2038焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力

新增試驗方法。

27、方法3015.1靜電敏感度的分級

（1）修改了交換引出端以獲得極性相反波形的規(guī)定；

（2）增加了空腳引出端的試驗要求；

（3）細(xì)化了同名電源引出端的分組規(guī)定；

（4）增加了可以放置旁路電阻來消除脈沖前電壓的選擇；

（5）增加了放電結(jié)束后可以將所有引線同時接地的選擇。

28、方法3023集成電路鎖定

新增試驗方法。

29、方法5004.3篩選程序

增加了附錄A。

30、方法 5005.3鑒定檢驗和質(zhì)量一致性檢驗程序

（1）B級B組檢驗增加了芯片剪切或芯片粘接強度試驗；

（2）D組檢驗增加了耐接熱分組；

（3）E組檢驗增加了單粒子效應(yīng)分組；

（4）增加了部分注釋。

31、方法5007.2 品圓批驗收

（1）增加了金屬化層厚度和鈍化層厚度按 GJB 597B-2012 執(zhí)行的規(guī)定；

（2）增加了GaAs、GaN工藝晶圓厚度要求。

32、方法 5009.1 破壞性物理分析

 該方法內(nèi)容已被GJB4027工作項目1100所代替。

33、方法5010.3 復(fù)雜單片微電路檢驗程序

E組檢驗增加了瞬態(tài)電離輻射、輻射鎖定和單粒子效應(yīng)分組。

34、方法5013.1 GaAs 工藝的晶圓制造控制和接收程序

（1）修改了工藝監(jiān)測圖形(PM)；

（2）增加了PM合格率和PM設(shè)置要求。

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