國產(chǎn)車規(guī)級(jí)IGBT駛上發(fā)展快車道與車規(guī)級(jí)IGBT芯片清洗介紹
IGBT的定義:
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是具有高電流、高電壓、高效率的半導(dǎo)體電源控制元件，也是一種電力電子元件的綜合體，是MOSFET（場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極晶體管）的結(jié)合體，它具有MOSFET的優(yōu)良特性，如可控性高、漏電流小、驅(qū)動(dòng)電流小、開關(guān)速度快等，又具有BJT的優(yōu)良特性，如具有較高的電流密度、較高的正向電壓限制等，它能夠?qū)崿F(xiàn)大電流大電壓的開關(guān)控制，被廣泛應(yīng)用于電力控制系統(tǒng)中。
IGBT在新能源汽車中的應(yīng)用：
在新能源汽車中IGBT是應(yīng)用極為廣泛的一種公里半導(dǎo)體元件，電動(dòng)車之所以具備碾壓燃油車的加速體驗(yàn)，和這枚“心臟”的作用不無關(guān)系。
新能源汽車是通過電池驅(qū)動(dòng)電機(jī)來給汽車提供動(dòng)力輸出的，所以存在交流市電給汽車電池充電和電池放電來驅(qū)動(dòng)電機(jī)使汽車行駛的場景。這兩個(gè)過程都是需要通過使用IGBT設(shè)計(jì)的電路來實(shí)現(xiàn)。
IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。
IGBT生產(chǎn)商 新能源汽車發(fā)展迅速，“缺芯”的話題近年來一直沒有間斷。
目前，中芯集成已成為國內(nèi)規(guī)模最大車規(guī)級(jí)IGBT制造基地。依托于國內(nèi)規(guī)模最大、全球技術(shù)領(lǐng)先的MEMS晶圓代工廠，年底前，中芯集成車規(guī)級(jí)IGBT芯片產(chǎn)能將超過12萬片每月。
斯達(dá)半導(dǎo)：
斯達(dá)半導(dǎo)優(yōu)勢在于IGBT模塊，主要覆蓋新能源汽車和工控領(lǐng)域。
2013年斯達(dá)半導(dǎo)開始專注新能源汽車IGBT模塊的研發(fā)，目前其IGBT電壓等級(jí)涵蓋范圍為100V～3300V，率先實(shí)現(xiàn)第7代IGBT產(chǎn)品的研發(fā)。另外，斯達(dá)半導(dǎo)的SiC模塊研發(fā)進(jìn)程也早于國內(nèi)其他廠商。
斯達(dá)半導(dǎo)產(chǎn)品種類豐富，能有效全面地覆蓋下游客戶的各類需求，其IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，其第六代TrenchFieldStop技術(shù)的車規(guī)級(jí)IGBT模塊已獲得多個(gè)平臺(tái)/項(xiàng)目定點(diǎn)，SiC模塊也已獲得多款車型定點(diǎn)，先發(fā)優(yōu)勢明顯。
目前斯達(dá)半導(dǎo)采用Fabless模式，代工廠為上海華虹、上海先進(jìn)等。同時(shí)也在自建晶圓廠，由Fabless走向IDM。
士蘭微：
士蘭微的產(chǎn)品以IGBT單管和IPM模塊為主，在白電和工控領(lǐng)域具備顯著市場地位。此外其車規(guī)IGBT產(chǎn)品通過部分汽車廠商測試，開始小批量供貨；光伏IGBT單管已在國內(nèi)部分光伏客戶逐步上量。根據(jù) Omdia數(shù)據(jù)顯示，2021年士蘭微 IPM 產(chǎn)品全球市占率達(dá)到 2.2%，排名全球第八，國內(nèi)第一。士蘭微已經(jīng)推出了英飛凌的第7代產(chǎn)品，目前還處在送審階段，離量產(chǎn)還有距離。2021年士蘭微的車規(guī)級(jí)SiC模塊研發(fā)成功。
除了以上提到的公司，還有諸如華微電子、揚(yáng)杰科技、比亞迪半導(dǎo)體、宏微科技、中科君芯、新潔能等廠商在IGBT各個(gè)領(lǐng)域逐步放量。
IGBT功率器件清洗
為應(yīng)對能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。
目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。
合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料；配方材料親水性強(qiáng)，清洗后易于用水漂洗干凈。
歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。
以上便是IGBT功率器件清洗劑廠,IGBT功率器件的DCB襯底功能介紹，希望可以幫到您！
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【閱讀提示】
以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積，因工藝問題內(nèi)容廣泛，沒有面面俱到，只對常見問題作分析，隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代，新的工藝問題也不斷出現(xiàn)，本公司自成立以來不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新，做到與時(shí)俱進(jìn)，熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝，能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。
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