扇出型封裝關(guān)鍵工藝和可靠性評(píng)價(jià)與芯片封裝清洗劑介紹
關(guān)鍵工藝和可靠性評(píng)價(jià)
FOWLP 的工藝流程復(fù)雜, 包括晶圓重構(gòu)、 塑封、 重布線等, 每一步關(guān)鍵工藝都會(huì)對(duì)封裝可靠性造成嚴(yán) 重影響。
晶圓重構(gòu)是指將從晶圓上分割下來(lái)的晶粒重新貼裝在臨時(shí)載體上形成重構(gòu)晶圓, 如圖 3 所示。晶圓重構(gòu)技術(shù)要求較好的定位精度, 既需要良好的粘貼強(qiáng)度, 也需要易于剝離, 否則會(huì)導(dǎo)致芯片偏移 。
圖3 晶圓重構(gòu)工藝示意圖
塑封工藝可以保護(hù)芯片并擴(kuò)展芯片面積, 環(huán)氧塑 封料會(huì)在受熱后液化, 包裹住晶粒, 并在冷卻后固化。環(huán)氧塑封料的熱膨脹系數(shù)與其他材料之間存在較大的 不匹配, 注塑時(shí)產(chǎn)生的液體流動(dòng)也可能會(huì)改變晶粒位 置, 造成晶圓翹曲和芯片偏移。
重布線技術(shù)是實(shí)現(xiàn)扇出效果的關(guān)鍵技術(shù), 如圖 4 所示, 該技術(shù)首先在晶粒表面覆上鈍化層和 PI 層, 再 通過(guò)金屬濺射、 掩膜曝光的方法制造金屬層圖案, 并使用電鍍法填充金屬層, 反復(fù)多次, 在晶粒和塑封料 表面交替制作金屬層和聚酰亞胺層, 最終形成多層重 布線層, 實(shí)現(xiàn)對(duì) I/ O 接口的重新排布。由于金屬和聚酰亞胺熱膨脹系數(shù)不同, 在溫度變化時(shí)若重布線層 強(qiáng)度不足會(huì)引發(fā)重布線層開裂。
圖4 重布線工藝流程圖
FOWLP 在應(yīng)用過(guò)程中常見的失效模式包括重布 線層分層和焊球開裂。菊花鏈測(cè)試鏈路可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè) 和定位 FOWLP 失效[9] , 便于后續(xù)對(duì)失效封裝結(jié)構(gòu)失 效分析。溫度循環(huán)試驗(yàn)和沖擊試驗(yàn)可以充分暴露潛在 失效。
菊花鏈(Daisy Chain)測(cè)試鏈路是表征先進(jìn)封裝結(jié) 構(gòu)可靠性的常用方法, 它可以高效率地實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)封裝 結(jié)構(gòu)是否在環(huán)境測(cè)試中發(fā)生失效, 并鎖定發(fā)生失效的 大概位置。菊花鏈測(cè)試鏈路可以在 I/ O 接口中建立多 條鏈路, 一旦封裝結(jié)構(gòu)在某處發(fā)生失效, 就會(huì)改變?cè)?處的橫截面積、 長(zhǎng)度和電氣參數(shù), 失效位置所在鏈路 的電流也會(huì)因?yàn)殡娮柚档母淖兌兓? 從而實(shí)現(xiàn)對(duì)封 裝結(jié)構(gòu)失效狀態(tài)的監(jiān)控和失效位置的估計(jì)。
在發(fā)現(xiàn)失效現(xiàn)象后可以使用超聲波掃描電子顯微 鏡 (SAM)、 掃描電子顯微鏡 ( SEM) 、 能量色散 X 射線光譜儀(EDX)、 X 射線能譜儀 (EDS)等工具和手 段對(duì)失效點(diǎn)位進(jìn)行定位和失效分析。超聲波掃描電子 顯微鏡和能量色散 X 射線光譜儀可以精準(zhǔn)定位失效位 置。
掃描電子顯微鏡可以得到失效點(diǎn)位的清晰圖像, 有助于了解斷裂、 分層、 錯(cuò)位等現(xiàn)象的具體原因。通 過(guò)能譜分析對(duì)失效點(diǎn)位附近材料的成分進(jìn)行分析, 可 以追溯因工藝流程中原材料純度不足、 對(duì)上一工藝環(huán) 節(jié)殘余物清洗和剝離不夠充分或生產(chǎn)環(huán)境不夠純凈等 原因?qū)е碌氖А?nbsp;
溫度循環(huán)試驗(yàn)和沖擊試驗(yàn)可以使?jié)撛诘牟季€層分 層和焊球開裂失效充分暴露。重布線層中的金屬層和 聚酰亞胺層在溫度循環(huán)測(cè)試時(shí)反復(fù)膨脹收縮, 二者熱 膨脹系數(shù)不同, 若重布線層強(qiáng)度不足則會(huì)開裂。沖擊 和溫度循環(huán)導(dǎo)致焊球處發(fā)生熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力集中, 若產(chǎn)品設(shè)計(jì)不合理或封裝工藝不達(dá)標(biāo), 則會(huì)導(dǎo)致焊球開裂。
根據(jù)聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)發(fā)布的有關(guān)標(biāo)準(zhǔn) JESD22-A104, 封裝可靠性測(cè)試中溫度循環(huán)試驗(yàn)的 熱范圍為-40~ 125 ℃, 循環(huán)測(cè)試的次數(shù)均為 1000 次, 沖擊測(cè)試的強(qiáng)度為 1500 g / ms。
在實(shí)際工作中, 可靠性環(huán)境試驗(yàn)會(huì)根據(jù)集成電路產(chǎn)片生命周期中所經(jīng)歷的 環(huán)境進(jìn)行調(diào)整, 比如航空航天電子產(chǎn)品會(huì)對(duì)沖擊強(qiáng)度 測(cè)試進(jìn)行加嚴(yán), 汽車電子產(chǎn)品可能會(huì)擴(kuò)大溫度循環(huán)范 圍或增加高溫存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)(HTS)等項(xiàng)目。
有些集成電路 產(chǎn)品在生產(chǎn)流程中會(huì)使用一些特殊工藝, 產(chǎn)品可能會(huì) 經(jīng)歷極端環(huán)境變化, 這也需要調(diào)整測(cè)試環(huán)境。有針對(duì) 性的可靠性測(cè)試有助于精準(zhǔn)的評(píng)價(jià)封裝結(jié)構(gòu)的可靠性, 從而合理地對(duì)結(jié)構(gòu)和工藝或劃定適應(yīng)的產(chǎn)品貯存、 運(yùn) 輸和工作環(huán)境范圍。
芯片封裝清洗:合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。
推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。
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以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積,因工藝問(wèn)題內(nèi)容廣泛,沒(méi)有面面俱到,只對(duì)常見問(wèn)題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問(wèn)題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來(lái)不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時(shí)俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。
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