Chiplet的快速發(fā)展必然對封裝技術(shù)提出更高的要求。當單個硅片被分割成多個芯粒，再把這些芯粒封裝在一起，由于單顆硅片上的布線密度和信號傳輸質(zhì)量遠高于不同芯粒，這就要求必須要發(fā)展出高密度、大帶寬布線的先進封裝技術(shù)，盡可能提升在多個Chiplet之間布線的數(shù)量并提升信號傳輸質(zhì)量。

當前，Chiplet所采用的先進封裝主要有以下三種形式:一是在有機基板上直接進行系統(tǒng)集成， 二是在有機基板上嵌入硅橋后進行集成，三是采用2.5D封裝工藝，如臺積電的CoWoS工藝。這三種封裝形式都需要有機基板，因為高端基板的產(chǎn)能欠缺，給封裝廠造成了很大的挑戰(zhàn)，也形成了很高的技術(shù)門檻。

eSinC工藝的優(yōu)勢在此完全體現(xiàn)。由于不需要有機基板，eSinC克服了上述三種封裝形式門檻高的問題，因此成為封裝廠實現(xiàn)Chiplet封裝的重要方案，更有利于整個技術(shù)的推廣。

為了適應(yīng)Chiplet技術(shù)發(fā)展的節(jié)奏，華天科技還為eSinC技術(shù)規(guī)劃了三個發(fā)展目標。首先，隨著集成的芯片數(shù)量不斷增多，單顆芯片的尺寸也越來越大，封裝尺寸會逐漸增大;第二，TSV深寬比越來越大，pitch尺寸減小;第三，RDL線寬線距越來越小，層數(shù)會越來越多，以應(yīng)對芯片功能強大以后1/0密度不斷增加的趨勢。

Chiplet在國內(nèi)剛剛起步，業(yè)界很多用于Chiplet的3D封裝技術(shù)都是以臺積電的3D fabric為藍本進行技術(shù)創(chuàng)新。但是，華天科技推出的eSinC技術(shù)屬于獨立自主開發(fā)的Chiplet封裝技術(shù)，無論是對公司打開Chiplet高端封裝技術(shù)領(lǐng)域，還是對國內(nèi)發(fā)展Chiplet產(chǎn)業(yè)都具有重大意義。未來，在此技術(shù)基礎(chǔ)上進一步結(jié)合fine pitch RDL、hybrid bond、高級基板等平臺技術(shù)，可以進一步提升封裝密度，建立完整的Chiplet封裝平臺。

發(fā)展獨立的封裝技術(shù)，對國內(nèi)整個Chiplet封裝產(chǎn)業(yè)鏈也有很大的拉動作用，特別是國產(chǎn)化裝備和國產(chǎn)化材料將會迎來新的發(fā)展機遇。當前，先進封裝所需的關(guān)鍵設(shè)備，如刻蝕機、PVD等和部分材料已實現(xiàn)了國產(chǎn)化，但還有一些后端設(shè)備和關(guān)鍵材料需要攻關(guān)，而以eSinc技術(shù)為引領(lǐng)，將會加快這些環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進度。同時，eSinC也會引領(lǐng)先進封裝的技術(shù)突破，如Fine pitch RDL，Interposer、混合鍵合、大顆FCBGA技術(shù)等

Chiplet芯片封裝清洗：合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。