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先進封裝之 - 2D封裝

發(fā)布日期:2023-05-23 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):3959

先進封裝之 - 2D封裝

電子集成技術(shù)分為三個層次,芯片上的集成,封裝內(nèi)的集成,PCB板級集成,其代表技術(shù)分別為SoC,SiP和PCB(也可以稱為SoP或者SoB)

芯片上的集成主要以2D為主,晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面;同樣,PCB上的集成也是以2D為主,電子元器件平鋪安裝在PCB表面,因此,二者都屬于2D集成。而針對于封裝內(nèi)的集成,情況就要復雜的多。

電子集成技術(shù)分類的兩個重要判據(jù):1.物理結(jié)構(gòu),2.電氣連接(電氣互連)。

目前先進封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類型。今天小編給大家?guī)淼氖?D封裝,希望能對大家有所幫助!

先進封裝.jpg

1、2D封裝

2D封裝是指在基板的表面水平安裝所有芯片和無源器件的集成方式。2D封裝上包括FOWLP、FOPLP等技術(shù)。

物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無源器件均安裝在基板平面,芯片和無源器件和 XY 平面直接接觸,基板上的布線和過孔均位于 XY 平面下方;電氣連接:均需要通過基板(除了極少數(shù)通過鍵合線直接連接的鍵合點)

臺積電的InFO:

2D封裝.jpg

臺積電在2017年開發(fā)的InFO技術(shù)。InFO技術(shù)與大多數(shù)封裝廠的Fan-out類似,可以理解為多個芯片F(xiàn)an-out工藝的集成,主要區(qū)別在于去掉了silicon interposer,使用一些RDL層進行串連(2016年推出的iPhone7中的A10處理器,采用臺積電16nm FinFET工藝以及InFO技術(shù))。

日月光的eWLB:與臺積的InFO類似,都屬于Fan-out技術(shù)

2.5D封裝.jpg

另外,還有一種2D+ 集成

2D+集成是指的傳統(tǒng)的通過鍵合線連接的芯片堆疊集成。也許會有人問,芯片堆疊不就是3D嗎,為什么要定義為2D+集成呢?

主要基于以下兩點原因:

1、3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成,為了避免概念混淆,我們定義這種傳統(tǒng)的芯片堆疊為2D+集成;

2、雖然物理結(jié)構(gòu)上是3D的,但其電氣互連上均需要通過基板,即先通過鍵合線鍵合到基板,然后在基板上進行電氣互連。這一點和2D集成相同,比2D集成改進的是結(jié)構(gòu)上的堆疊,能夠節(jié)省封裝的空間,因此稱之為2D+集成。

物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無源器件均地位于XY平面上方,部分芯片不直接接觸基板,基板上的布線和過孔均位于XY平面下方;

電氣連接:均需要通過基板(除了極少數(shù)通過鍵合線直接連接的鍵合點)

先進封裝1.jpg

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