封裝為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心一環(huán)，主要目的為保護(hù)芯片。半導(dǎo)體封裝測試處于晶圓制造過程中的后段部分，在芯片制造完后，將晶圓進(jìn)行封裝測試，將通過測試的晶圓按需求及功能加工得到芯片，屬于整個(gè) IC 產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)后段的環(huán)節(jié)，封裝的四大目的為保護(hù)芯片、支撐芯片及外形、將芯片的電極和外界的電路連通、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能作用，實(shí)現(xiàn)規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)化且便于將芯片的I/O 端口連接到部件級（系統(tǒng)級）的印制電路板（PCB）、玻璃基板等材料上，以實(shí)現(xiàn)電路連接，確保電路正常工作。

先進(jìn)封裝以縮小尺寸、系統(tǒng)性集成、提高I/O數(shù)量、提高散熱性能為發(fā)展主軸，可以包括單芯片和多芯片，倒裝封裝以及晶圓級封裝被廣為使用，再搭配互連技術(shù)(TSV, Bump等)的技術(shù)能力提升，推動封裝的進(jìn)步，內(nèi)外部封裝可以搭配組合成不同的高性能封裝產(chǎn)品。

先進(jìn)封裝分類及結(jié)構(gòu)圖（圖片來源：資產(chǎn)信息網(wǎng)）

高性能封裝市場規(guī)模如何？

據(jù)Yole預(yù)測，到 2027 年，高性能封裝市場收入預(yù)計(jì)將達(dá)到78.7億美元，高于 2021 年的27.4億美元，2021-2027 年的復(fù)合年增長率為 19%。到 2027 年，UHD FO、HBM、3DS 和有源 Si 中介層將占總市場份額的 50% 以上，是市場增長的最大貢獻(xiàn)者。嵌入式 Si 橋、3D NAND 堆棧、3D SoC 和 HBM 是增長最快的四大貢獻(xiàn)者，每個(gè)貢獻(xiàn)者的 CAGR 都大于 20%。

由于電信和基礎(chǔ)設(shè)施以及移動和消費(fèi)終端市場中高端性能應(yīng)用程序和人工智能的快速增長，這種演變是可能的。高端性能封裝代表了一個(gè)相對較小的業(yè)務(wù)，但對半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了巨大的影響，因?yàn)樗菐椭鷿M足比摩爾要求的關(guān)鍵解決方案之一。

為什么我們需要高性能封裝？

隨著前端節(jié)點(diǎn)越來越小，設(shè)計(jì)成本變得越來越重要。高級封裝 (AP) 解決方案通過降低成本、提高系統(tǒng)性能、降低延遲、增加帶寬和電源效率來幫助解決這些問題。

高端性能封裝平臺是 UHD FO、嵌入式 Si 橋、Si 中介層、3D 堆棧存儲器和 3DSoC。

數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)、高性能計(jì)算和自動駕駛汽車正在推動高端性能封裝的采用，以及從技術(shù)角度來看的演變。今天的趨勢是在云、邊緣計(jì)算和設(shè)備級別擁有更大的計(jì)算資源。因此，不斷增長的需求正在推動高端高性能封裝的采用。

高性能半導(dǎo)體芯片封裝更注重可靠性、安全性

先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤上的污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

針對先進(jìn)封裝產(chǎn)品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗(yàn)，對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多(測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分)，清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。