半導(dǎo)體清洗簡介

將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片的過程需要一到兩個月的時間，涉及從擴(kuò)散和光刻到蝕刻、沉積和離子注入的數(shù)百個過程。

但在擴(kuò)散、蝕刻、拋光和其他步驟之間，有一個關(guān)鍵的過程是重復(fù)進(jìn)行的。這是清潔過程。人類已經(jīng)開始頻繁地清洗自己，以防止有害細(xì)菌和細(xì)菌的感染。同樣，納米級半導(dǎo)體需要反復(fù)清洗才能生產(chǎn)出完美的芯片。我們將了解更多關(guān)于清潔的信息，這對提高半導(dǎo)體產(chǎn)量至關(guān)重要。

清潔：確保半導(dǎo)體質(zhì)量的重要過程

清潔是通過化學(xué)處理、氣體或物理方法去除晶片表面雜質(zhì)的過程。對于微觀規(guī)模的半導(dǎo)體工藝，晶圓表面自然形成的氧化層和微量雜質(zhì)的任何顆粒、金屬碎片、有機(jī)物質(zhì)都可能導(dǎo)致圖案缺陷和電財產(chǎn)惡化。這些問題可能會損害半導(dǎo)體的產(chǎn)量和可靠性。這就是為什么清潔在半導(dǎo)體工藝中如此重要的原因。清潔通常在工藝之間進(jìn)行，例如在形成薄膜的擴(kuò)散工藝之前和在去除不必要的部分以形成電路圖案的蝕刻工藝之后。清潔是重復(fù)進(jìn)行的，使其執(zhí)行的次數(shù)大約是其他過程的兩倍，并充當(dāng)過程之間的橋梁。

不同的清潔方式
有兩種主要的清潔方法：浸漬和噴涂。浸漬法曾經(jīng)是最常見的清潔方法，包括將晶片浸入化學(xué)或超純?nèi)ルx子水中。噴涂包括將液體或氣體形式的化學(xué)物質(zhì)噴涂到旋轉(zhuǎn)的晶圓上以去除雜質(zhì)。
在過去，間歇式浸漬是最常用的方法，因為它能夠同時清潔大量晶片。然而，最近，半導(dǎo)體工藝已經(jīng)擴(kuò)大，所使用的材料類型也發(fā)生了變化，導(dǎo)致單晶片型噴涂方法的使用更加廣泛。由于在晶片表面可以發(fā)現(xiàn)各種各樣的雜質(zhì)，因此使用了一系列不同的晶片清潔方法。

清潔決定了半導(dǎo)體產(chǎn)量和最終產(chǎn)品質(zhì)量。隨著半導(dǎo)體工藝規(guī)模的擴(kuò)大，清潔的重要性只會增加。

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