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車規(guī)級(jí)IGBT技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)與IGBT模塊清洗應(yīng)用介紹

發(fā)布日期:2023-03-21 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):5327

車規(guī)級(jí)IGBT是新能源汽車電機(jī)控制器、車載空調(diào)、充電樁等設(shè)備的核心元器件。根據(jù)英飛凌年報(bào)顯示,新能源汽車中功率半導(dǎo)體器件的價(jià)值量約為傳統(tǒng)燃油車的5倍以上。其中,IGBT約占新能源汽車電控系統(tǒng)成本的37%,因此是電控系統(tǒng)中最核心的電子器件之一。

一、電動(dòng)汽車IGBT技術(shù)的應(yīng)用

電動(dòng)汽車中,IGBT技術(shù)主要應(yīng)用于電機(jī)控制、充電樁、DC/DC變換器、制動(dòng)能量回收等方面。其中,電機(jī)控制是電動(dòng)汽車中最重要的應(yīng)用領(lǐng)域之一。

電動(dòng)汽車的電機(jī)控制需要對(duì)電機(jī)進(jìn)行高精度的控制,以達(dá)到最佳的性能和效率。IGBT作為電機(jī)控制中的關(guān)鍵元件,可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效控制。其工作原理是通過控制柵極信號(hào)的開關(guān),控制電流通過晶體管。IGBT的開關(guān)速度和控制能力非常高,可以滿足電動(dòng)汽車電機(jī)的高速、高功率和高效率要求。

除了電機(jī)控制之外,IGBT技術(shù)還應(yīng)用于電動(dòng)汽車的充電樁。充電樁需要對(duì)電池進(jìn)行高效的充電,以保證電池壽命和使用時(shí)間。IGBT技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)充電樁的高效能控制,同時(shí)可以保證充電樁的安全性和可靠性。

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此外,電動(dòng)汽車中的DC/DC變換器和制動(dòng)能量回收也需要使用IGBT技術(shù)。DC/DC變換器用于將電池的高電壓轉(zhuǎn)換為低電壓,以供給汽車內(nèi)部的電子設(shè)備使用。而制動(dòng)能量回收則是通過將制動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的能量回收到電池中,提高了電池的使用效率。這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)都離不開IGBT技術(shù)的支持。

二、電動(dòng)汽車IGBT技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,對(duì)IGBT技術(shù)的需求也在不斷增加。未來,IGBT技術(shù)的發(fā)展將主要集中在以下方面:

集成化:為了實(shí)現(xiàn)更小、更高效的電動(dòng)汽車控制系統(tǒng),IGBT技術(shù)需要進(jìn)一步集成化。將多個(gè)IGBT晶體管組合在一起,形成集成IGBT模塊,可以提高系統(tǒng)的集成度和可靠性。

可靠性:電動(dòng)汽車的控制系統(tǒng)需要具有很高的可靠性,以確保車輛的安全和可靠性。IGBT技術(shù)在高溫、高壓、高頻等惡劣環(huán)境下工作,需要進(jìn)一步提高其可靠性。

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高速控制:電動(dòng)汽車的電機(jī)控制需要非常高的速度和精度,以實(shí)現(xiàn)最佳的性能和效率。IGBT技術(shù)需要進(jìn)一步提高其開關(guān)速度和響應(yīng)速度,以滿足電動(dòng)汽車電機(jī)控制的需求。

芯片尺寸:隨著電動(dòng)汽車控制系統(tǒng)的不斷集成化,IGBT芯片的尺寸也需要進(jìn)一步縮小。通過采用新的工藝和材料,可以實(shí)現(xiàn)更小尺寸的IGBT芯片,以滿足電動(dòng)汽車控制系統(tǒng)的需求。

低功耗:電動(dòng)汽車需要具有低功耗的特點(diǎn),以延長(zhǎng)電池使用時(shí)間和行駛里程。IGBT技術(shù)需要進(jìn)一步降低功耗,以提高電動(dòng)汽車的能效。

三、車規(guī)級(jí)IGBT模塊清洗

IGBT模塊清洗

為應(yīng)對(duì)能源危機(jī)和生態(tài)環(huán)境惡化等問題,世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用,促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對(duì)這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

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目前,大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗,隨著對(duì)環(huán)保的管控和對(duì)產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高,原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對(duì)此,合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案,采用合明科技專利配方,可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜,更含有保護(hù)芯片獨(dú)特的材料;配方材料親水性強(qiáng),清洗后易于用水漂洗干凈。

 

 


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